Linia anodowania kwasem siarkowym o czystym składniku w klasie półprzewodników do podłoża aluminium o wysokiej czystości

Ta w pełni automatyczna linia anodowania kwasu siarkowego jest przeznaczona wyłącznie dla wysokiej czystości aluminiowych półprzewodników.Produkuje jednolity 8-15 μm naturalny przezroczysty film tlenkowy bez zanieczyszczenia barwieniem solą metalowąLinia obsługuje uszczelnienie ciepłą wodą lub uszczelnienie bez niklu w średniej temperaturze, aby spełnić rygorystyczne wymagania dotyczące czystości półprzewodników i wydalania gazu.

1. Odtłuszczanie (czyste odtłuszczanie o niskiej aktywności powierzchniowej)
2. Wieloetapowe płukanie czystą wodą
3. Łagodne oczyszczanie
4. Anodizing kwasu siarkowego o wysokiej czystości
5. Ciągłe spłukiwanie wodą kaskadową ultraczystą
6. Uszczelnienie: Uszczelnienie ciepłą wodą / Uszczelnienie bezniklowe średniej temperatury
7. Ostatnie płukanie czystą wodą
8. Kontrolowane suszenie niskotemperaturowe

• Całkowicie automatyczny tryb pracy zapewnia stałą grubość folii w zakresie 8-15 μm w całej serii
• Wyeliminowano barwienie metalową solą, aby zapobiec zanieczyszczeniu jonowemu, które wpływa na wydajność półprzewodników
• Wspiera rozwiązania uszczelniające wolne od niklu, spełniające normy środowiskowe i emisje gazów w przemyśle półprzewodnikowym
• Wyposażone w wysokiej precyzji ciągłą filtrację i ultraczyste zaopatrzenie w wodę w celu utrzymania czystości kąpieli
• Ściśle kontrolowane kaskady płukania minimalizują pozostałości kwasu i przenoszenie cząstek obcych

• Grupa zbiornika wstępnej obróbki
• Zbiornik anodujący kwasu siarkowego o wysokiej czystości
• Wieloetapowy system płukania UPW
• Zbiornik uszczelniający (uszczelniający w ciepłej wodzie / bezniklowy przy średniej temperaturze)
• Wyrównacz anodowy prądu stałego
• System filtrów krążenia o wysokiej precyzji
• Czysty niskotemperaturowy piec suszący
• Jednostka oczyszczania odpadów i ścieków
• PLC automatyczny żuraw portalowy i centralny system sterowania

Jony metalowe z barwników mogą pozostać wewnątrz folii tlenowej, powodując migrację jonów, zanieczyszczenie i ryzyko niezawodności dla zespołów półprzewodników.

Średnio-temperaturowe uszczelnienie bez niklu unika pozostałości jonów niklu.

Główna konfiguracja jest w pełni automatyczna w przypadku produkcji seryjnej; półautomatyczny / ręczny moduł czyszczenia może być dostarczany jako opcjonalna aktualizacja dla zamówień próbkowania.